PL Mapping光致發(fā)光掃描系統(tǒng)

PL Mapping 光致發(fā)光掃描系統(tǒng)

應(yīng)用領(lǐng)域：

常規(guī)的光致發(fā)光測(cè)量；
III-V族化合物半導(dǎo)體材料光致發(fā)光測(cè)量；
熒光性；
LD, LED外延晶片PL掃描測(cè)量；

儀器特點(diǎn)：

高品質(zhì)及中等價(jià)位的PL掃描系統(tǒng)(高性?xún)r(jià)比)；
波長(zhǎng)范圍寬廣(UV-VIS-NIR, 350nm to 2.2um)；
噪聲低，高PL信號(hào)探測(cè)；
設(shè)計(jì)緊湊，易于調(diào)諧；
各種激發(fā)激光源可選；
易于發(fā)現(xiàn)峰及FWHM；

儀器規(guī)格：

1 、光致發(fā)光樣品腔
10x M-Plan鏡頭顏色修正，波長(zhǎng)范圍：350-1800nm
工作距離：30.5mm, 20mm FL, z軸可調(diào)
系統(tǒng)空間分辨率：10微米(1微米選配)
鏡子帶孔洞作為激光束及PL信號(hào)的通道
Iris光圈用于激光束的調(diào)整
可變ND過(guò)濾器用于激光能量的控制(99% to 2%)
10毫米孔洞PL信號(hào)校準(zhǔn)鏡頭
馬達(dá)控制的XY臺(tái)，大速度30毫米/秒，1微米掃描分辨率
外延晶片樣品盤(pán)
包括高分辨控制器和電纜

2、IG512近紅外光譜儀，900-1700nm, 512像素, InGaAs陣列
25um x 500um像素尺寸，14bits, 2.5MHz數(shù)字轉(zhuǎn)換器, f/4, 40mm FL
探測(cè)范圍：900nm全譜，300gr/mm, 1um blaze grating
包括SMA905, 400um多模光纖，1米長(zhǎng)

3、EPP2000-VIS(350-1150nm)用于紫外-可見(jiàn)光，衍射光柵光譜儀
f/4, symX-Czerny-turner類(lèi)型
分辨率：1.6nm (50um狹縫，@600gr/mm grating)
包括2048像素CCD探測(cè)器，12bit數(shù)字轉(zhuǎn)換器
600gr/mm grating
接口：USB-2.0
SMA905光纖光學(xué)輸入，0.22NA，400um多模光纖，1米長(zhǎng)

4、激光器
LDM830100CWA 830nm Solid State Laser
FKL532.50.CWA.L 532nm Solid State Laser
IK3501R-G, 325nm HeCd Laser
Other lasers wavelength(s) (e.g. 266nm, 488nm, 405nm, 514nm, 785nm)